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        1. 射频功率管

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          意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体

          在高频(3-30MHz)到250MHz频率范围内,性能强大的IDEV系列能够提供高达2.2kW的连续波(CW)输出功率,而且只采用一个陶瓷封装,因此减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体的总数量。

          2021-08-13 11:24:03

          Pasternack最新推出大功率PIN二极同轴封装开关

          新型大功率PIN二极开关采用的是GaN半导体技术 Infinite Electronics旗下品牌,业界领先的射频、微波和毫米波产品供应商Pasternack刚刚推出了全新系列的高功率射频和微波

          2021-06-26 18:00:54

          基于MH—VIC2115功率管实现基站功率放大器的应用设计

          各种无线通信系统的发展,如GSM,WCDMA,TD—SCDMA,WiMAX和Wi—Fi,大大加速了半导体器件和射频功率放大器的研究进程。射频功率 放大器在无线通信系统中起着至关重要的作用,它的设计

          2020-09-15 10:30:20

          IGBT功率管RCD缓冲补偿设计实例分析

          RCD组合在反激拓扑中最为常见,是用来吸收漏感的尖峰能量,以限制功率管D(C)极的反压不致过高。当然在单端正激拓扑中也有采用,如RCD复位等,但其工作机理及作用与反激中的RCD即类似又有所不相同。而

          资料下载 2021-06-17 16:11:18

          胆石混合功放选取不同功率管其音色的特点

          胆石混合功放选取不同功率管其音色的特点介绍。

          资料下载 2021-04-08 15:19:48

          QorIQ功率管理技术

          QorIQ功率管理技术

          资料下载 2017-10-31 14:17:55

          功率管IRF640

          功率管IRF640参数

          资料下载 JKLMC 2017-02-27 19:02:57

          一种NPN型功率管驱动电路的设计

          一种NPN型功率管驱动电路的设计_李云鹏

          资料下载 #Freedom 2017-01-07 21:45:57

          射频/微波将在2021年引领功率晶体的复苏

          由于第五代(5G)蜂窝网络的建立,将使用一系列新的传输频率,包括毫米波(mmWave)频谱的频率,因此射频和微波功率晶体的增长预计将引领2021年的市场复苏。

          2020-08-05 14:48:17

          RF功率管理概述

          精确的基站RF功率管理另外一个好处同样超过移动发射器,因为他们有相同的要求。有了精确控制输出功率的能力,移动设备能够使电源电流开支最小。

          2020-06-18 15:15:59

          基于MOS场效应的大功率宽频带线性射频放大器设计

          带跳频、扩频技术对固态线性功率放大器设计提出了更高的要求,即射频功率放大器频率宽带化、输出功率更大化、整体设备??榛?。 通常情况下,在HF~VHF频段设计的宽带射频功放,采用场效应(FET)设计要比使用常规功率晶体

          2020-04-07 10:53:20

          如何采用功率因数校正平台简化智慧功率管理系統

          本部示範影片中展示了如何借助靈活的數控PFC(功率因數校正)引擎、精確的輸入計量和圖形化使用者介面,簡化智慧功率管理系統

          2019-06-14 06:07:00

          Ampleon推出750W射频功率晶体 可减少定输出功率所用能量

          埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布推出一款高效率750W射频功率晶体BLF0910H9LS750P。它在915MHz时效率为72.5%,为同类最佳,其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择。

          2019-05-16 14:15:17

          915MHz高效750W射频功率晶体可实现更紧凑的功率放大器设计

          埃赋隆半导体宣布推出一款高效率750W射频功率晶体BLF0910H9LS750P。

          2019-04-09 08:48:22

          Ampleon推出大功率射频晶体,面向工业和专业射频能量应用

          BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体。BLC2425M10LS500P适用于各种工业、消费和专业烹饪射频能量应用;由于它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW,因此

          2019-01-20 16:51:01

          限流开关系统的原理及应用领域

          功率管电流高于限流时,电流检测电路输出高电平给过流?;さ缏罚∣verCurrentLimit),过流?;さ缏吠ü蠢「涸氐缪垢绾杀?,调节电荷泵输出,从而使功率管的工作状态由线性区变为饱和区,限制功率管电流,达到?;?span style='color: #FF6600'>功率管的目的。

          2018-12-08 10:05:12

          功率管与三极的区别是什么 浅谈三极的特殊性

          MOS(场效应)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带?;ざ?span style='color: #FF6600'>管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。

          2018-09-04 08:44:09

          快速了解小型射频功放晶体可为射频能量应用提供600W功率

          安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。

          2018-04-26 09:42:00

          史上最详细图解三极

          β值随集电极电流IC的变化而变化,IC为mA级别时β值较小。一般地,小功率管的放大倍数比大功率管的大。

          2018-03-27 10:11:06

          解析充电IC中的功率管理策略:动态路径管理

          今天MPS小编要和大家聊一聊充电IC中的功率管理策略:动态路径管理。

          2018-01-02 15:42:46

          基于MOS场效应的大功率宽带射频脉冲功率放大器设计

          情况下,在HF~VHF频段设计的宽带射频功放,采用场效应(FET)设计要比使用常规功率晶体设计方便简单,正是基于场效应输入阻抗比较高,且输入阻抗相对频率的变化不会有太大的偏差,易于阻抗匹配

          2017-12-10 13:28:56

          飞兆半导体为设计人员提供功率管理解决方案

          飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为3G手机及无线数据卡设计人员提供业界最小的功率管理解决方案 FAN5902,这款射频功率 DC-DC 转换器采用具有12 凸块

          2017-12-09 11:10:09

          射频功率晶体耐用性的验证

          目前制造的大功率射频晶体比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS

          2017-12-07 06:22:21

          晶体射频放大器参数测量的进展和意义

          2008年射频功率晶体取得明显进展,以硅材料为主的双极和CMOS工艺都有突破性进展,特别是应用在L波段的场效应晶体,输出峰值功率1000W的集成电路就有多种型号可供选择,为构建雷达、航空电子应用

          2017-11-25 15:30:22

          微波功率晶体电路及参数分析

          微波功率晶体(以下简称微波功率管)是指用于微波频段的功率放大,输出较大功率,散发出较高热量的晶体。微波功率管是固态发射机及T/R组件的核心器件,其可靠性对系统的可靠性指标起着决定性的作用。微波

          2017-11-25 13:16:01

          RFMD改进RF功率管理技术简单分析与介绍

          日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicroDevices,Inc.(Nasdaq股市代号:RFMD)宣布,其将继续努力,实现RF功率管理性能方面改进的新里程碑

          2017-11-24 18:23:07

          射频功率晶体耐用性的验证

          目前制造的大功率射频晶体比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体

          2017-11-23 18:58:37

          射频放大器工作原理

          以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。 射频放大器工作原理 目前功率放大可以通过功率放大芯片实现,但其核心还是三极和场效应。 基于射频放大器通常其核心部分主要由三极

          2017-11-01 19:00:32

          恩智浦1500 kW射频功率晶体树立新标杆

          。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50 kW CW功率,能够减少高功率射频放大器中的晶体数量,从而减小放大器尺寸并降低物料成本。

          2016-05-09 11:53:05

          升压三极获取最佳功率应用电路设计方案

          6L6是一个束射功率管,有阴极、控制栅极、帘栅极、抑制栅极和阳极。抑制栅极实际上是一个由两块聚束板提供的虚拟抑制栅极,但是你可以将6L6束射功率管作为五极来对待。

          2015-03-20 09:52:59

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